SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。SK海力士将按客户日程及时供应业界最高性能HBM4，以巩固竞争优势。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。其采用了较前一代产品翻倍�条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提�%以上，从而实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。同时SK海力士还实现了高�Gbps以上的运行速度，大幅超越JEDEC标准规定񊄰Gbps。

SK海力士沿用了在HBM3E获得认可的MR-MUF工艺，从而在现�层堆叠上达到了最�GB容量。该工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。此外，SK海力士还采用了成熟񊄩β (b) nm（第五�nm级别）工艺来制造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量产过程中的风险。

SK海力士预计，将新产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提�%，不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还能显著降低数据中心电力成本。SK海力士表示，HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑，再次彰显了自身在面向AI的存储器技术领域的领导地位，并公告了竞争优势。