全球首款：SK 海力士宣布完成 HBM4 開發並準備量產

IT之家 9 月 12 日消息，SK 海力士剛剛宣布已成功完成麵向 AI 的超高性能存儲器新產品 HBM4 的開發，並在全球範圍內率先構建了量產體係。

SK 海力士表示：“公司成功開發將引領人工智能新時代的 HBM4，並基於此技術成果，在全球首次構建了 HBM4 的量產體係。此舉再次向全球市場彰顯了公司在麵向 AI 的存儲器技術領域的領導地位。”

IT之家注：高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory）：垂直連接多個 DRAM，相比現有的 DRAM 可顯著提升數據處理速度，目前已推出六代產品 ——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

據海力士介紹，全新的 HBM4 采用了較前一代產品翻倍的 2048 條數據傳輸通道，將帶寬擴大一倍，同時能效也提升 40% 以上。憑借這一突破，該產品實現了全球最高水平的數據處理速度和能效。

公司預測，將該產品引入客戶係統後，AI 服務性能最高可提升 69%，這一創新不僅能從根本上解決數據瓶頸問題，還可顯著降低數據中心電力成本。

與此同時，此次 HBM4 實現了高達 10Gbps 以上的運行速度，這大幅超越 JEDEC 標準規定的 8Gbps。

據介紹，公司在 HBM4 的開發過程中采用了產品穩定性方麵獲得市場認可的自主先進 MR-MUF 技術和第五代 10 納米級（1b）DRAM 工藝，最大程度地降低其量產過程中的風險。