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SK海力士宣布，已成功完成麵向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，並在全球首次構建了量產體係。SK海力士將按客戶日程及時供應業界最高性能HBM4，以鞏固競爭優勢。

HBM4屬於第六代HBM產品，英偉達將是SK海力士的首個客戶，用於明年的Rubin架構數據中心GPU上。其采用了較前一代產品翻倍的2048條數據傳輸通道，將帶寬擴大一倍，同時能效也提升40%以上，從而實現了全球最高水平的數據處理速度和能效。同時SK海力士還實現了高達10Gbps以上的運行速度，大幅超越JEDEC標準規定的8Gbps。

SK海力士沿用了在HBM3E獲得認可的MR-MUF工藝，從而在現有12層堆疊上達到了最大36GB容量。該工藝不但能控製芯片的翹曲現象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產品的穩定性。此外，SK海力士還采用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝來製造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量產過程中的風險。

SK海力士預計，將新產品引入客戶係統後，AI服務性能最高可提升69%，不僅能從根本上解決數據瓶頸問題，還能顯著降低數據中心電力成本。SK海力士表示，HBM4的開發完成將成為業界新的裏程碑，再次彰顯了自身在麵向AI的存儲器技術領域的領導地位，並公告了競爭優勢。