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盛美半導體閃耀SEMICON Taiwan 2025 攜前沿設備與麵板創新方案
盛美半導體閃耀SEMICON Taiwan 2025 攜前沿設備與麵板創新方案






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2025-09-15 14:14:17
來源:富貴不能淫網

盛美半導體閃耀SEMICON Taiwan 2025 攜前沿設備與麵板創新方案

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9月10日—12日,SEMICON Taiwan 2025在台北南港展覽館盛大舉行,大會以“世界同行 創新啟航”為主題,聚焦AI芯片、先進封裝、異質整合等前沿領域,吸引眾多知名半導體企業參展,共探產業新風向。

作為半導體設備領域的領先企業,盛美半導體攜最新解決方法亮相展會,展示其在麵板級先進封裝等領域的卓越技術,持續為推動行業進步與技術突破注入強勁動力。

深入布局FOPLP領域 三大創新產品引領風向

在人工智能(AI)、高性能計算及數據中心等新興應用的強勁驅動下,半導體先進封裝技術正迎來關鍵轉向。扇出型麵板級封裝(FOPLP)憑借其更高生產效率與更大封裝尺寸,有望逐步接替CoWoS,成為未來AI芯片封裝領域的新主流技術方向。盛美半導體緊跟市場趨勢,深入布局FOPLP領域,在本次SEMICON Taiwan 2025上重點展示了Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備、Ultra C vac-p麵板級負壓清洗設備和Ultra C bev-p麵板級邊緣刻蝕設備三款麵板級先進封裝的新產品。

與傳統的垂直電鍍解決方案不同,盛美半導體的Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備創新性地采用了專利申請保護的水平(平麵)電鍍方式,利用旋轉的方式,搭配獨立的多陽極控製,能夠更好地控製電鍍均勻性;同時能夠實現麵板傳輸過程中引起的槽體間汙染控製,大大降低了不同種金屬之間離子交叉汙染的風險,可作為具有亞微米RDL和微柱的大型麵板的理想選擇。該設備可加工尺寸高達515x510毫米的麵板,同時具有600x600毫米版本可供選擇,且盛美半導體正在開發310x310毫米麵板的應用。該設備兼容有機基板和玻璃基板,可用於矽通孔(TSV)填充、銅柱、鎳和錫銀(SnAg)電鍍、焊料凸塊以及采用銅、鎳、錫銀和金電鍍層的高密度扇出型(HDFO)產品。Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備采用盛美半導體自主研發的世界首創麵板級水平電鍍技術,可動態精確控製旋轉中的整個麵板的電場分布。該技術適用於各種製造工藝,可確保整個麵板的電鍍效果一致,從而確保麵板內和麵板之間的良好均勻性。盛美半導體的Ultra ECP ap-p設備憑借多方麵技術優勢,獲得了行業廣泛認可,並於2025年3月榮獲美國3D InCites協會頒發的“Technology Enablement Award”大獎,進一步體現了其在技術推進方麵的卓越貢獻。

Ultra C vac-p麵板級負壓清洗設備可處理510x515毫米和600x600毫米尺寸的麵板以及高達7毫米的麵板翹曲。利用負壓技術去除芯片結構中的助焊劑殘留物,可使清洗液到達狹窄的縫隙,顯著提高了清洗效率,目前該設備已經在客戶端實現量產。

Ultra C bev-p麵板級邊緣刻蝕設備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕工藝,在扇出型麵板級封裝技術中起到至關重要的作用。該工藝對於有效避免電氣短路、最大限度降低汙染風險、保持後續工藝步驟的完整性至關重要,有助於確保器件經久耐用。該設備的高效性主要得益於盛美半導體的專利技術,以應對方形麵板襯底所帶來的獨特挑戰。與傳統的圓形晶圓不同,盛美半導體的獨特設計可以實現精確的去邊工藝,確保在翹曲麵板的加工過程僅限於邊緣區域。這一專利技術對於保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進半導體技術所需的高性能和可靠性至關重要。

差異化競爭戰略顯成效 產品矩陣不斷完善

盛美半導體自成立以來,始終致力於為全球集成電路行業提供領先的設備及工藝解決方案,堅持差異化國際競爭和原始創新的發展戰略。通過持續的自主研發和不斷投入,憑借豐富的技術和工藝積累,形成了平台化的半導體工藝設備布局,包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管係列設備、前道塗膠顯影Track設備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備、無應力拋光設備、麵板級先進封裝設備、後道先進封裝工藝設備以及矽材料襯底製造工藝設備等,可覆蓋前道半導體製造、後道先進封裝、矽片製造三大類工藝設備應用領域。

在本次SEMICON Taiwan 2025上,盛美半導體還展示了公司的“明星產品”——SPM(硫酸過氧化混合物)清洗技術全景解決方案,近期該方案中的兩款清洗設備——單晶圓中/高溫SPM設備和Ultra C Tahoe中溫設備再次取得重要技術突破,不僅深度契合客戶需求,更樹立了行業技術新典範。

其中,單晶圓中/高溫SPM設備的升級主要包括:通過優化工藝參數及設備結構,顯著提升了納米級顆粒控製能力,產線大量測試的統計結果顯示,設備在26nm顆粒測試中展現了平均顆粒數為5個的清洗效果,滿足先進製程的嚴苛要求,體現了設備優異的均勻性和穩定性,此次升級進一步鞏固了單晶圓高溫SPM設備在顆粒控製能力等方麵的領先優勢,適用於邏輯、DRAM和3D-NAND等先進集成電路製造中的濕法清洗和刻蝕工藝。Ultra C Tahoe中溫設備的性能突破主要包括:該平台在26nm顆粒測試中展現了平均顆粒數小於5個的清洗效果,滿足了先進節點製造的嚴苛要求,適用於高密度邏輯芯片和存儲芯片等應用;升級後的25片晶圓的槽式模塊和9個單晶圓腔體使其每小時產能高達180片晶圓,大幅提高清洗效率;不同反應腔室間的薄膜厚度差異小於0.1A,確保清洗均勻性,避免因膜厚不均導致芯片性能波動。

除了清洗設備外,盛美半導體還展出了多款創新產品,包括電鍍設備、刻蝕設備以及立式爐管設備等,吸引了眾多來自全球的行業知名企業客戶駐足參觀。公司技術團隊與來訪客戶圍繞產品性能、技術細節及行業應用等議題展開了深入交流,並就進一步深化合作機會進行了探討,現場氣氛熱烈,反饋積極。

展望未來,盛美半導體持續秉持“技術差異化、產品平台化、客戶全球化”的發展戰略,憑借在先進封裝、清洗、電鍍等細分領域的深厚技術積累、快速響應客戶需求的創新能力以及日益提升的品牌影響力,盛美半導體必將成為推動全球半導體產業鏈中不可或缺的關鍵力量。

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