9月10日-12日，SEMICON Taiwan 2025在台北南港展覽館盛大舉行，一場由人工智能（AI）芯片驅動，融合先進封裝、3DIC、Chiplet與扇出型麵板級先進封裝（FOPLP）等前沿技術的創新浪潮席卷而來。在這場年度盛會上，盛美半導體全麵展示了其在FOPLP設備領域的最新成果與戰略布局。

AI芯片引爆需求 FOPLP或成未來封裝技術新主流

在AI、高性能計算（HPC）、數據中心等新興應用帶動下，半導體先進封裝風向轉向，FOPLP有望接棒CoWoS，成為未來AI芯片封裝新主流。現行CoWoS采用圓形基板，隨著可置放的芯片越來越大，無法達到有限切割需求，若改由麵板級封裝的方形基板進行芯片封裝，數量會比采用圓形基板多數倍，達到更高的利用率，並大幅降低成本，使得FOPLP成為半導體先進封裝新顯學。

盛美半導體董事長王暉博士表示：“先進封裝對於滿足低延遲、高帶寬和高性價比半導體芯片的需求越來越重要。扇出型麵板級封裝（FOPLP）能夠提供高帶寬和高密度的芯片互連，因此具有更大的發展潛力，此方法正在迅速成為關鍵解決方案，它將多個芯片、無源器件和互連集成在麵板上的單個封裝內，可提供更高的靈活性、可擴展性以及成本效益。”

從市場規模來看，據Yole預測，扇出型麵板級封裝（FOPLP）方法的應用增長速度高於扇出市場整體增長速度，其市場份額相較於扇出型晶圓級封裝（FOWLP）而言將從2022年的2%上升至2028年的8%。“這一增長背後的主要動力是成本的降低，傳統矽晶圓的使用率低於85%，而麵板的使用率高於95%，600x600毫米麵板的有效麵積是300毫米傳統矽晶圓有效麵積的5.7倍，麵板總體成本預計可降低66%。麵積利用率的提高帶來了更高的產能、更大的AI芯片設計靈活性以及顯著的成本降低。”王暉博士說道。

在這一進程中，半導體設備作為其中關鍵一環前景廣闊，盛美半導體敏銳地洞察到這一趨勢，憑借豐富的技術和工藝積累，積極布局FOPLP領域，不斷豐富產品線，致力於為全球集成電路行業提供先進的設備及工藝解決方案。

盛美半導體董事長王暉博士

解決電鍍工藝難題 盛美半導體麵板級電鍍設備實現突破

在本次SEMICON Taiwan 2025上，王暉博士在主題為《麵向AI芯片的先進封裝FOPLP與電鍍技術的機遇與挑戰》分享中全麵展示了盛美半導體在FOPLP領域的最新突破與成果。

從技術上來看，FOPLP的高精度工藝注定其對設備要求極高，尤其是在光刻、電鍍和層壓工藝環節。以電鍍工藝為例，目前麵臨著諸多難題：在高深寬比TSV和細間距RDL結構中，電鍍液浸潤不均與電流分布不勻易導致鍍層厚度差異，影響芯片性能；多材料電鍍（如Cu、Ni、SnAg）時易發生槽間交叉汙染；此外，矽、玻璃、環氧樹脂等基材的熱膨脹係數差異可能引起麵板翹曲，進而破壞電鍍均勻性。實現FOPLP的大規模量產，攻克電鍍設備難關已成為當前的關鍵所在。盛美半導體基於多年技術積累推出的Ultra ECP ap-p麵板級水平電鍍設備解決了電鍍工藝的難題，實現了多項技術創新。

盛美半導體Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備

據王暉博士介紹，與傳統的垂直電鍍解決方案不同，盛美半導體的Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備創新性地采用了水平（平麵）電鍍方式，利用旋轉的方式，搭配獨立的多陽極控製，能夠更好地控製電鍍均勻性；同時能夠實現麵板傳輸過程中引起的槽體間汙染控製，大大降低了不同種金屬之間離子交叉汙染的風險，可作為具有亞微米RDL和微柱的大型麵板的理想選擇。該設備可加工尺寸高達515x510毫米的麵板，同時具有600x600毫米版本可供選擇，公司現在正在開發310x310毫米麵板的應用。該設備兼容有機基板和玻璃基板，可用於矽通孔（TSV）填充、銅柱、鎳和錫銀（SnAg）電鍍、焊料凸塊以及采用銅、鎳、錫銀和金電鍍層的高密度扇出型（HDFO）產品。Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備采用盛美半導體自主研發的世界首創麵板級水平電鍍技術，可動態精確控製旋轉中的整個麵板的電場分布。該技術適用於各種製造工藝，可確保整個麵板的電鍍效果一致，從而確保麵板內和麵板之間的良好均勻性。得益於多重優勢，盛美半導體Ultra ECP ap-p設備深獲業界肯定，並於2025年3月拿下美國3D InCites協會頒發的“Technology Enablement Award”大獎

搶占先進封裝新賽道 盛美半導體打造FOPLP設備產品矩陣

除了Ultra ECP ap-p麵板級電鍍設備外，盛美半導體還推出了Ultra C vac-p麵板級負壓清洗設備、Ultra C bev-p麵板級邊緣刻蝕設備兩款麵板級先進封裝的新產品，助推AI芯片封裝從傳統的晶圓級封裝向更高密度、更大尺寸的麵板級封裝轉型。

盛美半導體Ultra C vac-p麵板級負壓清洗設備

王暉博士指出，“當節點尺寸小於40um時，傳統的助焊劑清洗設備無法清洗幹淨，盛美半導體的負壓助焊劑清洗技術創造性地解決了這一問題。”具體來看，Ultra C vac-p麵板級負壓清洗設備可處理510x515毫米和600x600毫米尺寸的麵板以及高達7毫米的麵板翹曲。利用負壓技術去除芯片結構中的助焊劑殘留物，可使清洗液到達狹窄的縫隙，顯著提高了清洗效率，目前該設備已經在客戶端實現量產。

盛美半導體Ultra C bev-p麵板級邊緣刻蝕設備

Ultra C bev-p麵板級邊緣刻蝕設備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕工藝，在扇出型麵板級封裝技術中起到至關重要的作用。該工藝對於有效避免電氣短路、最大限度降低汙染風險、保持後續工藝步驟的完整性至關重要，有助於確保器件經久耐用。該設備的高效性主要得益於盛美半導體的專利技術，以應對方形麵板襯底所帶來的獨特挑戰。與傳統的圓形晶圓不同，盛美半導體的獨特設計可以實現精確的去邊工藝，確保在翹曲麵板的加工過程僅限於邊緣區域。這一專利技術對於保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進半導體技術所需的高性能和可靠性至關重要。

展望未來，王暉博士表示：“盛美半導體將持續秉持‘技術差異化、產品平台化、客戶全球化’的發展戰略，積極把握半導體產業變革機遇，以前瞻視角緊跟市場趨勢，持續加大研發投入，加速全球化進程，未來計劃在中國台灣建設研發生產基地，將研發和生產帶到中國台灣；同時不斷拓展和豐富產品矩陣，滿足全球客戶日益增長的差異化需求，致力於成為半導體設備領域具有全球影響力的創新引領者，通過一係列新產品的自主開發以及海內外並購，到2030年年銷售超過200億元人民幣，目標躋身世界集成電路設備企業十強行列。”（校對/孫樂）